『与非网』战略升级，第三代半导体最新进展，耐威科技改名( 二 ) 耐威科技披露年报

关于GaN外延片，不同的异质外延介绍，请参见“科创之道”之前的文章，《第三代半导体投资分析》。
GaN器件方面，由控股子公司聚能创芯负责，向通讯设备、数据中心、新型电源、智能家电等领域，已经陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案，并同时推动微波器件产品的研发。
当然，目前GaN业务还处于早期阶段，并没有给2019年业绩带来实质性贡献。
但根据年报披露， GaN外延材料已经实现销售的零突破。
已建成第三代半导体外延材料制造项目（一期），掌握了业界领先的8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基GaN外延生长技术，积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、器件设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证。销售了60余片，销售金额为45.06万元。
在GaN器件方面，公司已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案，已推出数款GaN功率器件产品并进入小批量试产，与知名电源、家电及通讯企业展开合作，进行器件系统级验证和测试，同时持续推动微波器件产品的研发。
【『与非网』战略升级，第三代半导体最新进展，耐威科技改名】注：GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV) ，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。