|湖南大学发布公告说研制出1nm，不用光刻机也能生产

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从湖南大学的研究来看，似乎在开发新赛道制造半导体，而且还是1nm级别，湖南大学官网可知：其研究团队采用低能量的范德华电极集成方式，实现了以二硫化钼作为半导体沟道的薄层，甚至单原子层的短沟道垂直晶体管器件，在测试中，该垂直型晶体管在实现0.65nm的沟道长度的同时，同样保持着较好的特性，也就意味着芯片工艺，能够进入到1nm级别，而且垂直晶体管器件不用光刻机。

当然，目前还只是停留在理论层面，根据他们的研究，制造出1nm制程的芯片不需要光刻机，这真可以说是我国在芯片制造领域的有一大突破。如果消息属实，美国想要从制造领域来对我国芯片科技进行卡脖子的企图会完全破产。

【|湖南大学发布公告说研制出1nm，不用光刻机也能生产】

只是湖南大学这一消息是否属实，是否有可操作性，目前还不得而知，当然了湖南大学也是一所很有水平的大学，我们不是怀疑他会造假，而是希望这个消息是经得起科学验证和实践检验的。

不得不说，这将是国内芯片研制的里程碑，为什么这么说呢？因为拿国内最厉害的麒麟9000来说，其沟通长度一直徘徊在20nm左右，而湖南大学与微电子科学院本次的研究成果则是0.65nm的沟通长度。这意味着传统的硅基芯片5nm的沟通长度局限已经被打破，使用范德华金属将有很大的概率使得芯片格局发生变化，传统的光刻机加工将有被取代的可能，这也许是国内芯片弯道超车的最佳机会。